CES 2012: вбудована флеш-пам’ять SanDisk iNAND Ultra випускається за нормами 19 нм Новини 10.01.201225.05.20120 Виставку CES компанія SanDisk вибрала для прем’єри вбудовуваної пам’яті для мобільних пристроїв iNAND Ultra, яка буде випускатися по нормам 19 нм. Зменшення норм техпроцесу дозволяє збільшити об’єм пам’яті, що встановлюється в мобільний пристрій. Нова пам’ять SanDisk призначена для смартфонів, планшетів та інших мобільних пристроїв. Модулі iNAND Ultra вже використовуються виробниками мобільних пристроїв. Вони відповідають стандарту e.MMC і них використовуються чіпи MLC NAND. Розміри корпуса становлять 11,5 x 13 мм. Модулі деяких обсягів мають висоту всього 1 мм. За словами виробника, iNAND Ultra оптимізовані для поточного і майбутнього покоління мобільних операційних систем, таких, як Google Android і Windows Mobile. Ця апаратна оптимізація для ключових ОС укупі з високими показниками продуктивності при довільному доступі дозволяє зробити пристрої більш чуйними на дії користувача і підвищити швидкість відгуку в багатозадачних середовищах. Швидкість послідовного запису досягає 20 МБ / с, послідовного читання – до 80 МБ / с. Джерело: SanDisk Related Posts:Transcend представляє високопродуктивні та компактні модулі…Доступна нова Google Camera для Android-смартфонівНазвана ємність акумулятора Google Pixel WatchGoogle розробляє новий Tensor без участі SamsungTEAMGROUP оновлює промислові можливості пам’яті DDR5Майбутні смартфони Xiaomi отримають батареї з підвищеною… Share on Facebook Share Share on TwitterTweet Share on Pinterest Share Share on LinkedIn Share Share on Digg Share