Ти тут
Головна > Новини > Samsung Electronics починає випуск чипів NAND щільністю 64 Гбіт за технологією 20-нанометрового класу

Samsung Electronics починає випуск чипів NAND щільністю 64 Гбіт за технологією 20-нанометрового класу

Південнокорейський електронний гігант першим у галузі приступив до серійного виробництва чіпів флеш-пам’яті типу NAND щільністю 64 Гбіт, що виготовляються за технологією 20-нанометрового класу. Пам’ять, здатна зберігати в кожному осередку по три біта інформації, призначена для флеш-накопичувачів з інтерфейсом USB і карт пам’яті формату Secure Digital.


За словами Samsung, нова пам’ять по продуктивності перевершує пам’ять щільністю 32 Гбіт, що випускається по 30-нанометровій технології. Це пов’язано з тим, що нові чіпи відповідають специфікації Toggle DDR (Double Data Rate) 1.0, тоді як старі розраховані на передачу даних за технологією SDR (Single Data Rate). Передбачається, що однокристальні продукти ємністю 8 ГБ (64 Гбіт) з підтримкою технології Toggle DDR поступово замінять застосовуються зараз чіпи щільністю 32 Гбіт.

У квітні компанія Samsung представила розраховані на 20-нанометровий техпроцес чіпи щільністю 32 Гбіт і анонсувала випуск карт пам’яті на їх основі.

Джерело: Samsung Electronics

Top