Компанії Elpida Memory і Rexchip Electronics оголосили про спільний випуск пробних зразків чіпів пам’яті DDR3 SDRAM щільністю 1 Гбіт з розміром осередку 4F2 (F – ширина лінії, відповідна нормам техпроцесу). Пробна партія виготовлена ​​в центрі НДДКР Rexchip по 65-нанометровій технології.

Про плани Elpida зменшити площу комірки пам’яті до значення 4F2 в 2011 році стало відомо ще восени 2007 року. Тоді передбачалося, що перехід до відповідної архітектурі осередків відбудеться при освоєнні 40-нанометрового техпроцесу.

У порівнянні з осередками 6F2 нові осередки на 30% менше. Це дозволяє, використовуючи 65-нанометрову технологію, отримати розміри кристала і вихід чіпів з однієї пластини на тому ж рівні, що й при виробництві по 50-нанометровій технології, але з використанням осередків 6F2.

За словами виробника, високі характеристики нової пам’яті, в якій використовуються транзистори вертикальної структури, дозволяють побачити осередку 4F2 в якості фундаментальної технології для наступного покоління продуктів DRAM і mobile DRAM.

Джерело: Elpida Memory