Ти тут
Головна > Новини > CES 2012: вбудована флеш-пам’ять SanDisk iNAND Ultra випускається за нормами 19 нм

CES 2012: вбудована флеш-пам’ять SanDisk iNAND Ultra випускається за нормами 19 нм

Виставку CES компанія SanDisk вибрала для прем’єри вбудовуваної пам’яті для мобільних пристроїв iNAND Ultra, яка буде випускатися по нормам 19 нм.
Зменшення норм техпроцесу дозволяє збільшити об’єм пам’яті, що встановлюється в мобільний пристрій. Нова пам’ять SanDisk призначена для смартфонів, планшетів та інших мобільних пристроїв.

Модулі iNAND Ultra вже використовуються виробниками мобільних пристроїв. Вони відповідають стандарту e.MMC і них використовуються чіпи MLC NAND. Розміри корпуса становлять 11,5 x 13 мм. Модулі деяких обсягів мають висоту всього 1 мм.
За словами виробника, iNAND Ultra оптимізовані для поточного і майбутнього покоління мобільних операційних систем, таких, як Google Android і Windows Mobile. Ця апаратна оптимізація для ключових ОС укупі з високими показниками продуктивності при довільному доступі дозволяє зробити пристрої більш чуйними на дії користувача і підвищити швидкість відгуку в багатозадачних середовищах. Швидкість послідовного запису досягає 20 МБ / с, послідовного читання – до 80 МБ / с.

Джерело: SanDisk

Top