Ти тут
Головна > Новини > Пам’ять ReRAM прийде на зміну флеш-пам’яті в цьому десятилітті, вважають в SanDisk

Пам’ять ReRAM прийде на зміну флеш-пам’яті в цьому десятилітті, вважають в SanDisk

Друга половина поточного десятиліття буде відзначена приходом нового типу незалежній пам’яті – «резистивної пам’яті з довільним доступом» (Resistive RAM, ReRAM). Принаймні, такої думки дотримуються фахівці одного з найбільших виробників флеш-пам’яті, компанії SanDisk.

Джерело наводить слова Джуді Брунер (Judy Bruner), що займає в SanDisk пости виконавчого віце-президента і головного фінансового директора, з яких випливає, що мова йде про 2017-1018 роках.

До того моменту в SanDisk розраховують почати використовувати технологію фотолітографії в жорсткому ультрафіолетовому діапазоні (EUV).

За словами пані Брунер, поки в освоєнні EUV немає нагальної необхідності. У найближчі роки виробник розраховує почати випускати флеш-пам’ять за існуючою технологією, але із застосуванням об’ємної компонування. У SanDisk таку пам’ять називають BiCS (bit cost scalable).

Втім, навіть перехід до BiCS відбудеться лише через два кроки технологічних норм: освоєння одного з них (1Y) намічено на друге півріччя поточного року, другого (1Z) – на кінець 2014 і 2015 рік.

«Ми впевнені, що зможемо перейти до об’ємної пам’яті NAND або BiCS, не потребуючи EUV. Але коли ми приступимо до випуску об’ємної пам’яті ReRAM, нам буде потрібно EUV. Так що до того, як ми випробуємо потреба в EUV, є ще кілька років, – цитує джерело слова топ-менеджера SanDisk. – [Це відбудеться] десь у другій половині поточного десятиліття».

Джерело: EE Times

Top