Samsung починає випуск флеш-пам’яті MLC NAND по нормах «20-нанометрового класу» Новини 23.04.201003.06.20100 Компанія Samsung Electronics подолала черговий технологічний рубіж у виробництві флеш-пам’яті типа MLC NAND. Через рік після початку випуску продукції по нормах 30-нм технології, компанія оголосила про завершення розробки чипів щільністю 32 Гбіт по нормах «20-нанометрового класу». На базі таких носіїв створюватимуться карти пам’яті формату SD об’ємом 8 ГБ і вище, відповідні десятому швидкісному класу. Швидкість читання з таких карт складе близько 20 МБ/С, а швидкість запису — не меншого 10 МБ/С. Область застосування також охоплює карти пам’яті для вбудовуваних додатків. За словами виробника, нові карти пам’яті будуть на 30% швидше за своїх побратимів на основі 30-нм чіпів. Приріст продуктивності в порівнянні з 30-нанометровой пам’яттю MLC NAND досягає 50%. Компанія стверджує, що по надійності нові продукти будуть порівнянні з 30-нанометровыми аналогами. Масове виробництво карт пам’яті формату SD по нормах 20-нанометрового класу намічене на другу половину поточного року. Накопичувачі будуть доступні у версіях об’ємом від 4 до 64 ГБ. Джерело: Samsung Electronics Related Posts:Transcend представляє твердотільні NVMe-накопичувачі,…Transcend представляє високопродуктивні та компактні модулі…Transcend представляє новий твердотільний mSATA-накопичувачНові твердотільні накопичувачі Kingston KC2000Новий твердотілий накопичувач Transcend PCIe Gen 4x4 M.2…Названа ємність акумулятора Google Pixel Watch Share on Facebook Share Share on TwitterTweet Share on Pinterest Share Share on LinkedIn Share Share on Digg Share