Elpida і Rexchip створили прототип пам’яті DDR3 щільністю 1 Гбіт з осередками 4F2 Новини 23.12.201004.04.20110 Компанії Elpida Memory і Rexchip Electronics оголосили про спільний випуск пробних зразків чіпів пам'яті DDR3 SDRAM щільністю 1 Гбіт з розміром осередку 4F2 (F - ширина лінії, відповідна нормам техпроцесу). Пробна партія виготовлена в центрі НДДКР Rexchip по 65-нанометровій технології. Про плани Elpida зменшити площу комірки пам'яті до значення 4F2 в
Samsung Electronics починає випуск чипів NAND щільністю 64 Гбіт за технологією 20-нанометрового класу Новини 11.10.201016.03.20110 Південнокорейський електронний гігант першим у галузі приступив до серійного виробництва чіпів флеш-пам'яті типу NAND щільністю 64 Гбіт, що виготовляються за технологією 20-нанометрового класу. Пам'ять, здатна зберігати в кожному осередку по три біта інформації, призначена для флеш-накопичувачів з інтерфейсом USB і карт пам'яті формату Secure