Британські вчені випадково створили пам’ять, яка в 1000 разів енергетично ефективніше і в 100 разів швидше флеш-пам’яті Новини 20.05.201207.09.20120 Університетський коледж Лондона (UCL) став місцем, де вперше вдалося створити чіпи «резистивної пам'яті з довільним доступом» (Resistive RAM, ReRAM) на базі оксиду кремнію, що працюють при звичайних умовах. Це досягнення відкриває шлях до нової супершвидкісної пам'яті, впевнені дослідники. Принцип роботи ReRAM полягає в зміні опору матеріалу під дією