Виставку CES компанія SanDisk вибрала для прем’єри вбудовуваної пам’яті для мобільних пристроїв iNAND Ultra, яка буде випускатися по нормам 19 нм.
Зменшення норм техпроцесу дозволяє збільшити об’єм пам’яті, що встановлюється в мобільний пристрій. Нова пам’ять SanDisk призначена для смартфонів, планшетів та інших мобільних пристроїв.
Модулі iNAND Ultra вже використовуються виробниками мобільних пристроїв. Вони відповідають стандарту e.MMC і них використовуються чіпи MLC NAND. Розміри корпуса становлять 11,5 x 13 мм. Модулі деяких обсягів мають висоту всього 1 мм.
За словами виробника, iNAND Ultra оптимізовані для поточного і майбутнього покоління мобільних операційних систем, таких, як Google Android і Windows Mobile. Ця апаратна оптимізація для ключових ОС укупі з високими показниками продуктивності при довільному доступі дозволяє зробити пристрої більш чуйними на дії користувача і підвищити швидкість відгуку в багатозадачних середовищах. Швидкість послідовного запису досягає 20 МБ / с, послідовного читання – до 80 МБ / с.
Джерело: SanDisk
