Корпорація SanDisk, яка є одним з лідерів ринку флеш-пам’яті, сьогодні оголосила про початок поставок клієнтам ознайомлювальних зразків продукції, в якій використовується флеш-пам’ять, виготовлена за нормами 19 нм з використанням техпроцесу 1Ynm другого покоління.
Фахівцям SanDisk вдалося зменшити розміри комірки пам’яті з 19 х 26 нм до 19 х 19,5 нм, що відповідає зменшенню площі комірки пам’яті на 25%.
За словами виробника, в 19-нанометрових чіпах флеш-пам’яті SanDisk другого покоління використовуються самі передові розробки, включаючи архітектуру All-Bit-Line (ABL) з фірмовими алгоритмами програмування і схемами управління багаторівневим зберіганням даних. Як стверджується, це допомогло отримати багаторівневу (MLC) флеш-пам’ять типу NAND високої щільності, не жертвуючи продуктивністю і надійністю. Крім того, реалізована в 19-нанометрових чіпах другого покоління технологія зберігання SanDisk X3, що дозволяє записати три біта в одну клітинку, дозволить отримати найдешевшу флеш-пам’ять на ринку.
У числі областей застосування флеш-пам’яті SanDisk названі мобільні телефони, планшети, твердотільні накопичувачі споживчого та корпоративного рівня, побутова електроніка.
Джерело: SanDisk